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公开(公告)号：CN1517069B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200410002466.1
申请日：2004-01-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2928 , G21K4/00 , H04N5/32
Abstract: 将m行n列的摄像用放射线检测像素例如划分为72个像素区域，属于一个像素区域的摄像用放射线检测像素相互连接到相同的读取用TCP和驱动用TCP。在上述72个像素区域中，例如在3个区域(AEC用放射线检测区域)中，设置多个AEC用放射线检测像素。在AEC用放射线检测像素中，设置TFT型传感器。而且，在各读取用TCP中，在其两端部设置AEC用放射线检测像素的备用布线，通过读取各备用布线并连接到装置内的规定电路，将AEC用放射线检测像素连接到规定的电路，使AEC电路动作。
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公开(公告)号：CN1517069A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002466.1
申请日：2004-01-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2928 , G21K4/00 , H04N5/32
Abstract: 将m行n列的摄像用放射线检测像素例如划分为72个像素区域，属于一个像素区域的摄像用放射线检测像素相互连接到相同的读取用TCP和驱动用TCP。在上述72个像素区域中，例如在3个区域(AEC用放射线检测区域)中，设置多个AEC用放射线检测像素。在AEC用放射线检测像素中，设置TFT型传感器。而且，在各读取用TCP中，在其两端部设置AEC用放射线检测像素的备用布线，通过读取各备用布线并连接到装置内的规定电路，将AEC用放射线检测像素连接到规定的电路，使AEC电路动作。
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公开(公告)号：CN100448013C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200480004177.3
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L29/786 , H04N5/32 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/14643 , H04N5/32
Abstract: 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1260955C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03127802.7
申请日：2003-08-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14658 , H01L27/14663
Abstract: 本发明公开了一种放射线图像摄影装置。根据本发明的放射线刷新图像，不需要另外准备AEC传感器，可以避免如以往那样因AEC传感器配置在放射线图像摄影装置上，图像传感器接收衰减的放射线，从而导致图像质量下降，同时有助于装置本体的小型化。为此，提供一种放射线图像摄影装置，具有将入射的放射线变换成电信号的第一光变换元件，根据从第一光变换元件输出的电信号来生成图像信息，其中，在与第一光变换元件的间隙匹配的其下方部位上，配有检测来自该间隙的放射线的入射量的多个第二光变换元件，根据第二光变换元件的检测结果，进行对入射的放射线的露出控制和所述光变换元件的控制。
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公开(公告)号：CN1501758A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114918.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14658
Abstract: 本发明的摄象装置和放射线摄象装置是在基板上，2维地配置由成对的将射入的电磁波转换为电信号的半导体转换元件、与上述半导体转换元件连接的开关元件构成的多个像素，具有与排列在一个方向上的多个上述开关元件共通连接的驱动布线、与排列在与上述一个方向不同的方向上的多个上述开关元件共通连接的信号布线，上述开关元件包含第1半导体层，上述半导体转换元件包含在形成上述开关元件后被形成的，并且在形成上述第1半导体层后被形成的第2半导体层，其特征在于：上述半导体转换元件的电极被形成为在上述驱动布线、上述开关元件的电极和上述信号布线中的2个相互不重叠的区域中，至少除去上述驱动布线上的一部分和上述开关元件的电极上的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100534151C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200480034150.9
申请日：2004-11-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/32 , H01L27/146
Abstract: 按照拍摄方式可从一个灵敏度自由地转换为另一个灵敏度，例如可以进行放射线曝光剂量显著不同因而所需的灵敏度也互不相同的静止图像拍摄和运动图像拍摄，从而满足所述要求。TFT 21的源极或漏极通过信号线14a和IC 5连接到信号输出电路3。TFT 23的源极/漏极通过信号线14b和IC 5连接到信号输出电路3。因而，在每个像素6中，当信号被读出时，可以自由地选择信号线14a和14b中任何之一。
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公开(公告)号：CN100438052C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480004078.5
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
Abstract: 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中，与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上，薄膜晶体管具有顶栅型结构，其中半导体层，栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上，以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护，从而能够获得稳定的TFT特性，而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应，不合需要地导通任何TFT元件，从而极大地提高图像质量。
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公开(公告)号：CN1883192A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034150.9
申请日：2004-11-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/32 , H01L27/146
Abstract: 按照拍摄方式可从一个灵敏度自由地转换为另一个灵敏度，例如可以进行放射线曝光剂量显著不同因而所需的灵敏度也互不相同的静止图像拍摄和运动图像拍摄，从而满足所述要求。TFT21的源极或漏极通过信号线14a和IC5连接到信号输出电路3。TFT23的源极/漏极通过信号线14b和IC5连接到信号输出电路3。因而，在每个像素6中，当信号被读出时，可以自由地选择信号线14a和14b中任何之一。
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公开(公告)号：CN100416841C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200480004063.9
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32 , H01L27/14603 , H01L27/14658
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取设备具有多个光电转换元件和多个开关元件，其中，在至少一个开关元件上方形成光电转换元件，并在开关元件和光电转换元件之间设置屏蔽电极层。此外，根据本发明的辐射图像拾取设备具有用于直接将辐射转换为电荷的辐射转换层以及多个开关元件，其中，在一个或多个开关元件上方形成辐射转换层，并在开关元件和辐射转换层之间设置屏蔽电极层。
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公开(公告)号：CN1751393A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004177.3
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L29/786 , H04N5/32 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/14643 , H04N5/32
Abstract: 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。
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