蚀刻液及线路形成方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105143515B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201480021975.0

    申请日:2014-02-19

    Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。

    铜的微蚀刻剂以及配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN111051571A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880054465.1

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明的微蚀刻剂包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及水溶性阳离子聚合物,该水溶性阳离子聚合物在侧链上含有四级铵基,且重量平均分子量为1000以上。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以下。通过使用该微蚀刻剂,即便为低蚀刻量,也可于铜表面形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

    蚀刻液、补充液及线路形成方法

    公开(公告)号:CN105143515A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201480021975.0

    申请日:2014-02-19

    CPC classification number: H05K3/067 C23F1/18 H05K2201/0338

    Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。

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