公开(公告)号：CN1896343B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1-d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10-3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X-射线衍射条件的同时通过改变X-射线从晶体表面的穿透深度来进行X-射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X-射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X-射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1-d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN1896343A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1－d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10－3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X－射线衍射条件的同时通过改变X－射线从晶体表面的穿透深度来进行X－射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X－射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X－射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1－d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。