公开(公告)号：CN103620895A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280029797.7

申请日：2012-07-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住友隆道 ,  上野昌纪 ,  善积祐介 ,  吉田乔久 ,  足立真宽

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202

Abstract: 在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体的半极性面。第一p型半导体区域（18）具有构成第一p型半导体区域（18）与第二p型半导体区域（22）之间的界面且具有1×1020cm-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层（18c）。

公开(公告)号：CN103460529A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015873.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉田乔久 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01S5/4087 ,  B82Y20/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可小型化且可容易制作的多波长的光半导体元件。半导体激光元件（1A）包括：GaN基板（10），其主面（10a）具有第一面取向；激光构造部（20），其生长于主面（10a）的第一区域上，且包含活性层（24）；GaN薄膜（40），其经由接合层（41）而接合于主面（10a）的与第一区域不同的第二区域，且表面（40a）具有与第一面取向不同的第二面取向；以及激光构造部（30），其生长于GaN薄膜（40）的表面（40a）上，且包含活性层（34）。活性层（24、34）分别具有包含In的阱层，这些阱层的发光波长互不相同。

公开(公告)号：CN102822998A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201280001044.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  石原邦亮 ,  八乡昭广 ,  吉田乔久 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

Abstract: 半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。