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公开(公告)号：CN104582019B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201410039685.0
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/22
Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器，其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器（10）具有：内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体（1）；和接合于该陶瓷基体（1）的晶片载放面（1a）相反侧背面（1b）的圆筒形支持体（3），在该背面（1b）接合支持体（3）的环形接合区域（S1），分别以同心圆形状连接于接合区域（S1）的内周和外周，面积与接合区域（S1）均相同的环形内侧区域（S2）和外侧区域（S3）构成整个环形区域，位于其正上方的电阻发热体（2）的一部分的发热量除以该整个环形区域的面积的值，大于该电阻发热体（2）的一部分以外的电阻发热体（2）的其余部分的发热量除以背面（1b）减去该整个环形区域的面积的值。
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公开(公告)号：CN104582019A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410039685.0
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/22
Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器，其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器（10）具有：内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体（1）；和接合于该陶瓷基体（1）的晶片载放面（1a）相反侧背面（1b）的圆筒形支持体（3），在该背面（1b）接合支持体（3）的环形接合区域（S1），分别以同心圆形状连接于接合区域（S1）的内周和外周，面积与接合区域（S1）均相同的环形内侧区域（S2）和外侧区域（S3）构成整个环形区域，位于其正上方的电阻发热体（2）的一部分的发热量除以该整个环形区域的面积的值，大于该电阻发热体（2）的一部分以外的电阻发热体（2）的其余部分的发热量除以背面（1b）减去该整个环形区域的面积的值。
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公开(公告)号：CN102047383A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001676.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01J37/32577 , H01L21/67069 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置，所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本发明提供晶片保持体(10)，设置于腔室内，具有埋设有高频电极电路(5)的晶片保持部(1)、从晶片保持部(1)的晶片载置面(1a)的相反侧的面(1b)支撑晶片保持部(1)的支撑构件(2)、相对于该支撑构件(2)设置于晶片保持部(1)的相反侧的接地部件(3)以及插入支撑构件(2)的内部且将高频电极电路(5)和接地部件(3)电连接的导电性连接部件(7)，其中，该导电性连接部件(7)具有沿垂直方向变形的能力，并且，导电性连接部件(7)中的形成主要电流通路的连接部分以面接触的方式固定。
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公开(公告)号：CN105282877B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510337068.3
申请日：2015-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造装置的陶瓷加热器。一种陶瓷加热器1，其含有在上表面具有晶片载置面2a且在内部具备线状的电阻发热体4的陶瓷基体2、和与该陶瓷基体2的下表面接合的筒状支撑体3；其中，电阻发热体4具有电路图案，该电路图案包含相对于陶瓷基体2以同心圆状配置的多个周向延伸部4a、和与这些多个周向延伸部4a连接的半径方向延伸部4b；从垂直于晶片载置面2a的方向对该电路图案和陶瓷基体2下表面的与筒状支撑体3的接合区域2b一起进行观察时，在接合区域2b内不存在周向延伸部4a。
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公开(公告)号：CN104465453B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410039716.2
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105282877A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510337068.3
申请日：2015-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造装置的陶瓷加热器。一种陶瓷加热器1，其含有在上表面具有晶片载置面2a且在内部具备线状的电阻发热体4的陶瓷基体2、和与该陶瓷基体2的下表面接合的筒状支撑体3；其中，电阻发热体4具有电路图案，该电路图案包含相对于陶瓷基体2以同心圆状配置的多个周向延伸部4a、和与这些多个周向延伸部4a连接的半径方向延伸部4b；从垂直于晶片载置面2a的方向对该电路图案和陶瓷基体2下表面的与筒状支撑体3的接合区域2b一起进行观察时，在接合区域2b内不存在周向延伸部4a。
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公开(公告)号：CN104576442A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410039786.8
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/68742 , H05B3/265
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用陶瓷加热器，可以与升降销的根数、位置不同的多个机型对应。半导体制造装置用陶瓷加热器(11)具有晶片载置面，在内部具有发热体(13)，发热体(13)由具有呈同心圆状、旋涡状或圆弧状的电路图案的导线形成，构成该电路图案的多个曲线状导线中相距穿过晶片载置面的中心并与晶片载置面垂直的中心线预定距离的导线在至少六处以局部地具有小曲率半径的方式弯曲成圆弧状。在应用于半导体制造装置时，仅在该至少六处中的三处或四处设置贯通孔，在该贯通孔中安装升降销(4)。
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公开(公告)号：CN104465453A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410039716.2
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67098 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。
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公开(公告)号：CN302974968S
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201430015293.1
申请日：2014-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：晶片保持加热器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于晶片的保持加热。3．本外观设计产品的设计要点：如图所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
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公开(公告)号：CN302896438S
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201430014934.1
申请日：2014-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：晶片等保持加热器用电极。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于晶片等保持加热器。3．本外观设计产品的设计要点：如图所示的产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：右视图。
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