公开(公告)号：CN103579491B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310340890.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/35

CPC classification number: H01L41/18 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0

公开(公告)号：CN103325937B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310076574.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 渡边和俊 ,  柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L41/18 ,  G01B11/0625 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。

公开(公告)号：CN103219460B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310023655.6

申请日：2013-01-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/047 ,  B41J2/14

CPC classification number: H01L41/18 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方