公开(公告)号：CN109075770B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201780028320.X

申请日：2017-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 一种复合基板(1)，具备：第1基板(10)，包含压电单晶体；和第2基板(20)，包含与所述第1基板10接合的硅单晶体，所述第2基板(20)的面取向为(111)，使欧拉角(θ，ψ)的ψ从0°偏离。由此，能够减少特定频带的体波寄生。

公开(公告)号：CN107852144B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201680045829.0

申请日：2016-10-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波谐振器具有：压电基板；以及位于该压电基板的上表面上的IDT电极。基于体波的谐振频率以及反谐振频率中的至少一者位于基于SAW的谐振频率与反谐振频率之间。

公开(公告)号：CN107852148B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201680045631.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  奥道武宏

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: SAW元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于压电基板的上表面上的IDT电极。包含IDT电极的谐振器(5)的谐振频率以及反谐振频率收敛于频率最低的体波杂散的频率与频率次低的体波杂散的频率之间。

公开(公告)号：CN109075770A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028320.X

申请日：2017-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 一种复合基板(1)，具备：第1基板(10)，包含压电单晶体；和第2基板(20)，包含与所述第1基板10接合的硅单晶体，所述第2基板(20)的面取向为(111)，使欧拉角(θ，ψ)的ψ从0°偏离。由此，能够减少特定频带的体波寄生。

公开(公告)号：CN116868446A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280015917.1

申请日：2022-02-18

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中岛毅树 ,  平井匠 ,  山本大辅 ,  守田达弥 ,  早田和树

IPC: H01Q21/08

Abstract: 圆极化阵列天线具有：天线层；以及接地层，与天线层对置。天线层在俯视时的互不相同的位置具有分别包含圆极化天线的多个天线元件。接地层具有被分离成分别与一个以上的所述天线元件对置的多个接地图案。

公开(公告)号：CN107852148A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045631.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  奥道武宏

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/145 ,  H03H9/14544 ,  H03H9/205 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6483

Abstract: SAW元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于压电基板的上表面上的IDT电极。包含IDT电极的谐振器(5)的谐振频率以及反谐振频率收敛于频率最低的体波杂散的频率与频率次低的体波杂散的频率之间。

公开(公告)号：CN116868443A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280014696.6

申请日：2022-02-18

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 守田达弥 ,  山本大辅 ,  早田和树 ,  中岛毅树

IPC: H01Q13/08

Abstract: 天线具有导电性的贴片。贴片在俯视观察下具有：位于第1方向的两侧的第1供电侧缘部以及第1非供电侧缘部；和位于与第1方向交叉的第2方向的两侧的第2供电侧缘部以及第2非供电侧缘部。贴片在俯视观察下具有：位于第1供电侧缘部的一侧的第1供电点；和位于第2供电侧缘部的一侧的第2供电点。在俯视观察下，第1供电侧缘部的至少一部分向外侧鼓出而构成凸部。在凸部中，第2方向上的宽度越靠向凸部的顶部的一侧越变窄。第1供电点位于在第1方向上比凸部的半截更靠凸部的顶部的一侧的位置。

公开(公告)号：CN107852144A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045829.0

申请日：2016-10-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

CPC classification number: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波谐振器具有：压电基板；以及位于该压电基板的上表面上的IDT电极。基于体波的谐振频率以及反谐振频率中的至少一者位于基于SAW的谐振频率与反谐振频率之间。