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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117116997A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311176903.0
申请日：2023-09-13
Applicant: 之江实验室 , 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/45 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种适用于轮廓增强视觉传感器的低阻抗TFT器件及制备方法，本发明在传统a‑Si TFT底栅结构的n+与S/D接触的位置增加一层低阻抗的欧姆接触层X，欧姆接触层X的电阻率介于n+与S/D之间，能够很好的匹配n+与S/D之间的欧姆接触，减少接触阻抗，同时在不增加器件漏电的情况下还能改善TFT器件的开启速度和开启后的导通能力。相较于其他半导体材料，其制备方法和设备可与传统的TFT器件制造线相匹配，无需额外设备场地投入。
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公开(公告)号：CN117334749A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311400300.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 之江实验室 , 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: H01L29/786 , H01L27/146 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于TFT背板技术集成的仿生视觉传感器及其制备方法，其中光敏电阻器件与薄膜晶体管器件通过异构集成工艺实现单片集成传感器。薄膜晶体管器件采用顶底双栅结构，此结构可实现薄膜晶体管器件的阈值电压可调，增强了传感器的像素电路对工艺均一性的容忍性和提升了像素电路灵活性。本发明提出的器件制备工艺简单，易展开大面积制备，成本低廉，衬底可选用柔性材料，可实现柔性传感器的制备，且得益于TFT背板技术的成熟，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN116387336A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310641870.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H04N25/77
Abstract: 本发明公开了一种基于TFT背板的轮廓增强传感器、阵列版图及设计方法，本发明以一种包含光敏电阻、电阻、TFT晶体管等器件结合的电路作为核心像素电路，其中传感器的光敏器件与TFT背板使用异构集成工艺进行结合。本发明通过将光敏器件集成在TFT背板上，同时以TFT器件技术为核心进行像素区周边的驱动电路或者读出电路的设计，也兼容集成驱动芯片和读出电路芯片绑定于TFT背板上，且得益于TFT背板可大面积制备的优势，可实现一种集成度高、大规模和高分辨率的阵列轮廓增强传感器。
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公开(公告)号：CN117278728A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311201870.0
申请日：2023-09-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种视觉传感器裸片弱光成像性能的测试系统和测试方法。本发明包括屏蔽装置、投影装置、显微装置、电流性能测试装置和/或电压性能测试装置；其中屏蔽装置，极大地削减无用噪声，使传感器裸片微弱电信号实现有效提取。投影装置可以将弱光信号精确地投射在视觉传感器裸片的指定像素上。本发明的视觉传感器裸片弱光成像性能的测试系统和测试方法可以实现10fA级弱电信号测试，而且可以实现微米级器件像素的精细投影与成像。实现了以前测不了的轮廓增强等需要精细像素调控的研究，具有极高的可行性和可操作性。同时本发明还为视觉传感器的研发提供了可靠的测试方法，有利于实现核心元器件的国产化，提高科技的发展水平。
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公开(公告)号：CN116387336B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310641870.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H04N25/77
Abstract: 本发明公开了一种基于TFT背板的轮廓增强传感器、阵列版图及设计方法，本发明以一种包含光敏电阻、电阻、TFT晶体管等器件结合的电路作为核心像素电路，其中传感器的光敏器件与TFT背板使用异构集成工艺进行结合。本发明通过将光敏器件集成在TFT背板上，同时以TFT器件技术为核心进行像素区周边的驱动电路或者读出电路的设计，也兼容集成驱动芯片和读出电路芯片绑定于TFT背板上，且得益于TFT背板可大面积制备的优势，可实现一种集成度高、大规模和高分辨率的阵列轮廓增强传感器。
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