-
公开(公告)号:CN101325094B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN200810117183.X
申请日:2008-07-25
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 本发明提供一种含无定形硅氧化物晶界层的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法,属于锂离子电池领域。其特征在于:在材料晶粒1间的晶界处含有无定形纳米硅氧化物层2的复合陶瓷,并且采用湿化学方法实现了该无定形纳米硅氧化物晶界层2的引入,该湿化学方法使用廉价的有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态电解质材料中,在硅含量为1~10%时,经过烧结即可合成得到的这种含硅氧化物晶界层的锂镧钛氧复合固态电解质材料。其晶界电导率得到显著的提高,从而提高了材料的总电导率。本复合固态电解质材料制备过程简单易操作,且大大缩短了实验周期、降低了合成温度、节省了能耗和生产成本。
-
公开(公告)号:CN101325094A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200810117183.X
申请日:2008-07-25
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 本发明提供一种含无定形硅氧化物晶界层的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法,属于锂离子电池领域。其特征在于:在材料晶粒1间的晶界处含有无定形纳米硅氧化物层2的复合陶瓷,并且采用湿化学方法实现了该无定形纳米硅氧化物晶界层2的引入,该湿化学方法使用廉价的有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态电解质材料中,在硅含量为1~10%时,经过烧结即可合成得到的这种含硅氧化物晶界层的锂镧钛氧复合固态电解质材料。其晶界电导率得到显著的提高,从而提高了材料的总电导率。本复合固态电解质材料制备过程简单易操作,且大大缩短了实验周期、降低了合成温度、节省了能耗和生产成本。
-
公开(公告)号:CN101971408B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN200980107272.9
申请日:2009-07-24
IPC: H01M10/0562 , H01M6/18 , H01B1/08
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 提供一种含硅的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法。其特征在于:在材料的晶粒(1)间的晶界处含有非晶质的Si或Si化合物(2)。采用湿化学方法将该Si或Si化合物(2)引入晶界处,该方法通过将有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态复合电解质材料中,在按Si计相对于锂镧钛氧化合物的质量比为0.27%~1.35%时,烧结即可合成得到的这种含硅的锂镧钛氧复合固态电解质材料。
-
公开(公告)号:CN101971408A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980107272.9
申请日:2009-07-24
IPC: H01M10/0562 , H01M6/18 , H01B1/08
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0567 , H01M2300/0088
Abstract: 提供一种含硅的锂镧钛氧(LLTO)复合固态电解质材料及其合成方法。其特征在于:在材料的晶粒(1)间的晶界处含有非晶质的Si或Si化合物(2)。采用湿化学方法将该Si或Si化合物(2)引入晶界处,该方法通过将有机硅化物作为添加物加入到锂镧钛氧固态复合电解质材料中,在按Si计相对于锂镧钛氧化合物的质量比为0.27%~1.35%时,烧结即可合成得到的这种含硅的锂镧钛氧复合固态电解质材料。
-
公开(公告)号:CN114963956A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210788062.8
申请日:2022-07-04
Applicant: 清华大学 , 清华大学合肥公共安全研究院
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种滑坡位移监测系统及其操作方法,滑坡位移监测系统包括:多个传感器组件,每个传感器组件包括套管、信号发送装置和多个传感器,每个传感器包括盒体、转轴、上转体、下转体、上监测线缆、下监测线缆、上计数装置、下计数装置、上归零装置、下归零装置、上锁止装置、下锁止装置和倾角仪;信号收集装置,信号收集装置分别与多个信号发送装置无线通讯;供电装置,供电装置分别与信号收集装置和多个传感器组件电连接。根据本发明实施例的滑坡位移监测系统具有局限性小、适用性广、准确性高等优点。
-
公开(公告)号:CN119430908A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411547389.1
申请日:2024-11-01
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种高比容钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法,所述高比容钛酸钡基陶瓷材料的化学式为:(1‑x)(Ba0.8Ca0.2)TiO3‑xBi(Mg0.5Zr0.5)O3,其中,0.3≤x≤0.4。本发明的高比容钛酸钡基陶瓷材料,在高温下(>150℃)具有较高的能量密度和能量效率,同时该陶瓷材料在变温环境下具有优异的储能温度稳定性,以及高温环境下具有优异的储能循环稳定性,本发明实施例陶瓷材料的优异储能性能可以保证电动汽车、光伏发电中工作在高温下的电路模块能够正常工作而不必额外添加散热装置。
-
公开(公告)号:CN119263813A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411368529.9
申请日:2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种C0G型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括:15摩尔%~16摩尔%的BaCO3和/或BaO,5摩尔%~10摩尔%的Nd2O3,5摩尔%~10摩尔%的Bi2O3,55摩尔%~70摩尔%的TiO2和0.1摩尔%~5摩尔%的GeO2。该C0G型介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数,低的介电损耗以及高绝缘电阻。同时,该方法在无添加传统玻璃料或助烧剂的情况下有效降低了具有钨青铜结构的BLT体系材料的烧结温度,同时优化了陶瓷材料的整体介电性能。
-
公开(公告)号:CN119038984A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411249674.5
申请日:2024-09-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种C0G温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法,具体地,本发明提出了一种陶瓷介质材料,其包含BaCO3和/或BaO、Nd2O3、Bi2O3、TiO2以及Dy2O3或Ho2O3或Er2O3。该材料具有高的介电常数,低的介电损耗以及高绝缘电阻。
-
公开(公告)号:CN114843434B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202110545644.9
申请日:2021-05-19
IPC: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/04 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M10/42
Abstract: 本申请提供一种电极片、固态电池和电子设备,固态电池包括正极片和负极片;所述正极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体至少一功能表面的正极活性层,所述正极活性层包括内部具有锂盐的第一凝胶电解质;所述负极片包括负极集流体和设置在所述负极集流体至少一功能表面的负极活性层,所述负极活性层包括内部具有锂盐的第二凝胶电解质,所述第一凝胶电解质和第二凝胶电解质不同;或者,所述负极片为锂金属。在应用固态电池中时,凝胶电解质能够实现电极‑固态电解质界面接触性能的优化,使固态电池的安全性能和循环性能得到进一步改善。
-
公开(公告)号:CN117229052A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311044066.6
申请日:2023-08-18
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种C0G型介质陶瓷材料及其制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括:15摩尔%~16摩尔%的BaCO3和/或BaO,5.5摩尔%~15摩尔%的Nd2O3,3摩尔%~15.5摩尔%的Bi2O3和67摩尔%~68摩尔%的TiO2。该C0G型介质陶瓷材料具有高的介电常数,低的介电损耗以及高绝缘电阻。具体地,C0G型介质陶瓷材料的介电常数不小于120,介电损耗不大于0.0004,介电常数温度系数为‑30ppm/℃~+30ppm/℃,介电常数温度系数满足C0G型介质陶瓷规格要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-