公开(公告)号：CN107112360B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN107431092A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017256.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  水野祥司 ,  杉本雅裕 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)，其由第一或第二导电型半导体构成；漂移层(2)，其由第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其包含上段侧栅结构以及下段侧栅结构；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述上段侧栅结构被配置在沟槽(7)内的上段侧，并具有第一栅绝缘膜(8a)和第一栅电极(9a)。此外，所述下段侧栅结构被配置在所述沟槽内的下段侧，并具有由较高的介电常数的绝缘材料构成的第二栅绝缘膜(8b)和第二栅电极(9b)。

公开(公告)号：CN116695252A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176260.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 堀合慧祥 ,  冈本武志 ,  神田贵裕 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  镰田功穂 ,  土田秀一 ,  金村高司

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。

公开(公告)号：CN116344324A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211656107.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  长屋正武 ,  大原淳士 ,  星真一 ,  金村高司

IPC: H01L21/02

Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178

公开(公告)号：CN107112360A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN107431093A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017258.X

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)；漂移层(2)，其由与所述漏极区相比杂质浓度较低的第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由被设为高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其被配置在沟槽(7)的入口侧且具有被配置到与所述基极区相比而较深处为止的第一栅绝缘膜(8a)、与第一栅电极(9a)，并包含底部绝缘膜(8b)；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区电连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述沟槽被配置到与所述基极区相比而较深处为止。此外，所述第一栅绝缘膜由与所述底部绝缘膜相比介电常数较高的绝缘材料构成。