公开(公告)号：CN105849910A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071339.9

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/105 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种通过使耗尽层在外周区内更高速地伸展，从而能够实现更高的耐压的技术。半导体装置具有形成有绝缘栅型开关元件的元件区和外周区。在外周区内的半导体基板的表面上，形成有第一沟槽和以与第一沟槽隔开间隔的方式配置的第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽内形成有绝缘膜。形成有以从第一沟槽的底面跨及第二沟槽的底面的方式延伸的第二导电型的第四区域。在第四区域的下侧形成有从第三区域连续的第一导电型的第五区域。

公开(公告)号：CN106463523B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580018795.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  池田知治 ,  庄司智幸 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。

公开(公告)号：CN105874577A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071099.2

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。

公开(公告)号：CN105874577B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480071099.2

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。

公开(公告)号：CN105849909A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071046.0

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。

公开(公告)号：CN103125023B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180041733.4

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 池田知治

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。所述半导体装置在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区。二极管区具备：第一层，其被埋入从半导体基板的表面侧至二极管漂移层的、二极管沟槽内；第二层，其被埋设在第一层内，且其下端位于与二极管体层和二极管漂移层的边界相比较深的深度处。绝缘栅双极性晶体管区具备绝缘栅双极性晶体管栅，所述缘栅双极性晶体管栅从半导体基板的表面侧起贯穿绝缘栅双极性晶体管体层，并到达绝缘栅双极性晶体管漂移层。第二层从二极管沟槽的内侧朝向外侧对第一层进行按压。在二极管漂移层中，至少在第二层的下端的深度处形成有寿命控制区，寿命控制区内的晶体缺陷密度高于寿命控制区外的晶体缺陷密度。

公开(公告)号：CN103125023A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180041733.4

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 池田知治

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。所述半导体装置在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区。二极管区具备：第一层，其被埋入从半导体基板的表面侧至二极管漂移层的、二极管沟槽内；第二层，其被埋设在第一层内，且其下端位于与二极管体层和二极管漂移层的边界相比较深的深度处。绝缘栅双极性晶体管区具备绝缘栅双极性晶体管栅，所述缘栅双极性晶体管栅从半导体基板的表面侧起贯穿绝缘栅双极性晶体管体层，并到达绝缘栅双极性晶体管漂移层。第二层从二极管沟槽的内侧朝向外侧对第一层进行按压。在二极管漂移层中，至少在第二层的下端的深度处形成有寿命控制区，寿命控制区内的晶体缺陷密度高于寿命控制区外的晶体缺陷密度。

公开(公告)号：CN106233438B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201580020907.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西彻 ,  大木周平 ,  池田知治 ,  R·MD·塔斯比尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。

公开(公告)号：CN105849910B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201480071339.9

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种通过使耗尽层在外周区内更高速地伸展，从而能够实现更高的耐压的技术。半导体装置具有形成有绝缘栅型开关元件的元件区和外周区。在外周区内的半导体基板的表面上，形成有第一沟槽和以与第一沟槽隔开间隔的方式配置的第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽内形成有绝缘膜。形成有以从第一沟槽的底面跨及第二沟槽的底面的方式延伸的第二导电型的第四区域。在第四区域的下侧形成有从第三区域连续的第一导电型的第五区域。

公开(公告)号：CN105849909B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480071046.0

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。