公开(公告)号：CN106167916B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610325787.8

申请日：2016-05-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田丰

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。

公开(公告)号：CN108796609A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810370122.8

申请日：2018-04-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 土井雅喜 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  佐藤友大 ,  关和明 ,  楠一彦 ,  岸田丰

IPC: C30B29/36 ,  C30B9/06

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。

公开(公告)号：CN108796609B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201810370122.8

申请日：2018-04-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 土井雅喜 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  佐藤友大 ,  关和明 ,  楠一彦 ,  岸田丰

IPC: C30B29/36 ,  C30B9/06

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。

公开(公告)号：CN106167916A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610325787.8

申请日：2016-05-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田丰

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/06 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。