公开(公告)号：CN105671639B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510849405.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎真辉 ,  守山实希

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。

公开(公告)号：CN105671639A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510849405.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎真辉 ,  守山实希

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。