公开(公告)号：CN1429401A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01809470.8

申请日：2001-03-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  山下弘 ,  永井诚二 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。

公开(公告)号：CN1213462C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01809470.8

申请日：2001-03-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  山下弘 ,  永井诚二 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。