公开(公告)号：CN1189920C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。

公开(公告)号：CN1413358A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。