公开(公告)号：CN1473355A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802829.5

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中琢理 ,  小西亮平 ,  安河内隆一 ,  小出康夫 ,  村上正纪 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L29/1608 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的目的是提供一种用于p－型SiC的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的p－型电极包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中的至少一种。

公开(公告)号：CN1553478A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1473356A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n－电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。

公开(公告)号：CN1306560C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n-电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n-型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n-电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。

公开(公告)号：CN1271681C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1150632C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97129713.4

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 用汽相淀积在p+层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。

公开(公告)号：CN1189701A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97129713.4

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野朲静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 用汽相淀积在P+层上形成包括钴(Co)的层,并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化,以便形成透光电极。因此,透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性,并长时间内提供稳定的发光图形。此外,由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素,所以可获得令人满意的欧姆特性。