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发明公开
一种基于铝与锗锑碲复合哑铃孔阵列的太赫兹调制器审中-实审

公开(公告)号：CN119511564A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202510008275.8

申请日：2025-01-03

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 束方洲 , 王晨 , 刘梦淑 , 鞠财 , 方彬 , 张冬芹

IPC: G02F1/01 , G02F1/00

Abstract: 本发明公开一种基于铝与锗锑碲复合哑铃孔阵列的太赫兹调制器，包括衬底及形成于衬底表面的铝与锗锑碲复合哑铃孔阵列；所述铝与锗锑碲复合哑铃孔阵列，即在铝薄膜中刻蚀多个周期性排布的哑铃孔，并在铝哑铃孔阵列上覆盖一层锗锑碲薄膜；所述铝哑铃孔阵列的结构单元由两个半径相同的圆孔和一个矩形孔组成，矩形孔连接两个圆孔，并且圆孔深度、矩形孔深度以及铝薄膜的厚度均相同；所述太赫兹调制器可以通过锗锑碲相变实现对太赫兹波透射率的动态调节。本发明公开的铝与锗锑碲复合哑铃孔阵列可以在太赫兹频段实现调制器，利用锗锑碲的相变特性实现对太赫兹波透射率的动态调节。

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