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公开(公告)号：CN110095486B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910378043.6
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: G01N23/203 , G01N23/20
Abstract: 本发明的目的是提供一种快速呈现多晶材料特定晶面分布特征的方法。此方法高效率、低成本、操作简单，而且能够准确的呈现多晶材料内部多个特定晶面取向特征。本发明主要包括EBSD样品的制备、电子背散射衍射分析技术采集样品表面信息、数据处理以及特定晶面呈现等步骤；本发明可以用于特定晶面特征下的晶粒尺寸、分布以及取向关系研究，如研究合金材料在热处理和热加工过程中存在的取向遗传现象；其次，可用于探究材料的抗氧化、抗腐蚀性能与材料表面特定晶面分布特征的联系；另外，也可以定量研究材料中不同晶面以及多种特定晶面对于材料性能的共同作用，以指导实际成产中制定合理热处理及加工工艺，进而充分发挥或者改善材料的服役性能。
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公开(公告)号：CN110487825A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910708144.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明的目的在于提供一种确定TEM观察锆合金中FCC-Zr相最佳方向的复合衍射法。首先根据两相之间可能存在的位向关系，采用矩阵运算获得FCC-Zr与基体之间晶面指数以及晶向指数之间的对应关系；然后利用晶体学软件Crystal Marker等模拟在任意方向入射电子束下的两相复合斑点衍射谱；最后通过对比不同入射方向下的两相复合衍射谱，相应低指数晶向和晶面指数对应的电子束入射方向，即是观察FCC-Zr相的最佳方向。此发明方法可以准确找到观察锆合金中纳米尺寸FCC-Zr相最佳电子束入射方向，对于FCC-Zr晶体学研究具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111229841A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010030957.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明提供了一种高温轧制过程摩擦系数测试方法，其特征在于：在Gleeble热模拟实验机上通过设计相应测试系统实现高温下的圆环镦粗。测定镦粗后圆环的高度和内径尺寸，并与定标曲线进行比较即可得出具体的摩擦系数。本发明攻克了高温轧制过程摩擦系数难测量的问题，为实际轧制工艺以及相关学术研究提供数据支撑。所述方法适用于任何从300℃至1050℃高温轧制过程摩擦系数的测量，而且该方法测试精准度高，测试过程简单易行。
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公开(公告)号：CN110095486A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910378043.6
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: G01N23/203 , G01N23/20
Abstract: 本发明的目的是提供一种快速呈现多晶材料特定晶面分布特征的方法。此方法高效率、低成本、操作简单，而且能够准确的呈现多晶材料内部多个特定晶面取向特征。本发明主要包括EBSD样品的制备、电子背散射衍射分析技术采集样品表面信息、数据处理以及特定晶面呈现等步骤；本发明可以用于特定晶面特征下的晶粒尺寸、分布以及取向关系研究，如研究合金材料在热处理和热加工过程中存在的取向遗传现象；其次，可用于探究材料的抗氧化、抗腐蚀性能与材料表面特定晶面分布特征的联系；另外，也可以定量研究材料中不同晶面以及多种特定晶面对于材料性能的共同作用，以指导实际成产中制定合理热处理及加工工艺，进而充分发挥或者改善材料的服役性能。
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公开(公告)号：CN110487825B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910708144.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明的目的在于提供一种确定TEM观察锆合金中FCC‑Zr相最佳方向的复合衍射法。首先根据两相之间可能存在的位向关系，采用矩阵运算获得FCC‑Zr与基体之间晶面指数以及晶向指数之间的对应关系；然后利用晶体学软件Crystal Marker等模拟在任意方向入射电子束下的两相复合斑点衍射谱；最后通过对比不同入射方向下的两相复合衍射谱，相应低指数晶向和晶面指数对应的电子束入射方向，即是观察FCC‑Zr相的最佳方向。此发明方法可以准确找到观察锆合金中纳米尺寸FCC‑Zr相最佳电子束入射方向，对于FCC‑Zr晶体学研究具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111218632B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010031312.4
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明提供了一种锆及锆合金粗晶的制备方法，其特征在于：本发明首先在锆合金β相变点200℃以上进行多次真空固溶处理，冷却方式为炉冷；接着在α相变点以下进行长时间的真空固溶处理，冷却方式为炉冷。即可得到粗大的片层组织。本发明满足了学术界对锆及锆合金粗晶的迫切需求，为锆合金腐蚀各向异性、力学各向异性以及关于锆及锆合金的一些深层次的机理性的研究工作提供了良好的原材料制备手段。
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公开(公告)号：CN111218632A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010031312.4
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明提供了一种锆及锆合金粗晶的制备方法，其特征在于：本发明首先在锆合金β相变点200℃以上进行多次真空固溶处理，冷却方式为炉冷；接着在α相变点以下进行长时间的真空固溶处理，冷却方式为炉冷。即可得到粗大的片层组织。本发明满足了学术界对锆及锆合金粗晶的迫切需求，为锆合金腐蚀各向异性、力学各向异性以及关于锆及锆合金的一些深层次的机理性的研究工作提供了良好的原材料制备手段。
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