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公开(公告)号：CN118695455B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410948432.9
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及非焊接形式的高分子材料超高真空腔室结构及其制作方法，其中，真空腔室结构包括真空腔室主体和外环法兰，两个所述外环法兰分别与所述真空腔室主体的两端卡接；所述真空腔室主体和所述外环法兰为相同的高分子材料，所述高分子材料为PEEK及其复合材料和/或VESPEL材料和/或高分子工程塑料。本发明不仅能够解决真空室的涡流效应，还能够更好的满足真空室结构强度、真空性能等需求。
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公开(公告)号：CN118669296A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410728843.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种低温吸气剂泵及其制作方法，其中，低温吸气剂泵包括低温制剂循环管路，内循环通入低温制剂；刀口法兰，套设在所述低温制剂循环管路外且与低温制剂循环管路紧配合或固定连接；吸附组合体，若干个吸附组合体分别套设在刀口法兰上方的所述低温制剂循环管路外且与所述低温制剂循环管路紧配合，若干个所述吸附组合体沿着所述低温制剂循环管路的长度方向间隔布置；第一金属垫片，最下层的所述吸附组合体与刀口法兰之间以及相邻的吸附组合体之间分别设置有所述第一金属垫片；限位件，与所述低温制剂循环管路的上端配合连接，以压紧所述吸附组合体并防止其掉落。
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公开(公告)号：CN117066822A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311003702.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种加强筋结构的超薄壁真空腔室的制作方法，通过不锈钢真空薄壁管和钛合金加强筋的极高真空室在满足加速器物理对好场区要求的基础上，大大减小了真空室的整体尺寸，进而大幅减小磁铁气隙，降低加速器制造及电源运维成本；从而解决了传统技术制作的薄壁加强筋真空腔室无法显著减小磁铁气隙及由银钯钎焊焊料而导致的制作成本过高等问题。
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公开(公告)号：CN116133225A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211092747.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: H05H7/18
Abstract: 本发明涉及一种超薄壁金属内衬真空腔室的制作方法，包括如下步骤：零件加工：通过将真空腔室模具放置在架台上对半结构的超薄壁真空腔室进行加工；通过3D打印对金属内衬进行制作，通过数控加工中心对法兰进行加工；表面净化：通过有机溶剂清洗和超声波清洗的方式对半结构的超薄壁真空腔室、金属内衬和法兰进行清洗并烘干；装配：将若干个金属内衬放入两个半结构的超薄壁真空腔室之间，将两个分离的半结构的超薄壁真空腔室采用若干个夹具夹紧；焊接：将用夹具夹紧的两个半结构的超薄壁真空腔室进行焊接；将两个加工好的法兰焊接在完整的超薄壁真空腔室的两端；检漏：利用氦质谱检漏法检测焊接部位是否漏气。
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公开(公告)号：CN113271708A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110526212.3
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种加速器强辐射区的管道连接装置，包括包括左圆盘、右圆盘、外波纹管、内波纹管和充排气组件，外波纹管和内波纹管具有弹性且同心设置，左圆盘和右圆盘均具有外圆和内圆，左圆盘、右圆盘、外波纹管和内波纹管首尾相连共同围成封闭的环向空间；充排气组件包括充排气管和电磁阀，充排气管的管口端配置有充排气接头。本发明公开的加速器强辐射区的管道连接装置，不仅便于远程操控，还能防管道内的物质泄漏，可靠度高，能满足加速器强辐射区高真空环境下管道设备的正常运行和维护需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111504792A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010315709.6
申请日：2020-04-21
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: G01N3/12
Abstract: 本发明公开了一种加速器真空管道强度测试装置，包括压力舱、真空管道抽真空装置和强度测试装置，压力舱上设有打压口，打压口连有加压泵；真空管道抽真空装置包括密封法兰、连接管、真空管道转接法兰和真空泵，强度测试装置包括三通信号接管，三通信号接管的主管与连接管的外端端口相通且密封连接，三通信号接管的支管的端口设置有信号传输法兰。本发明公开一种加速器真空管道强度测试装置，采用管外打压的方式保证了真空管道的真空效果，使之同时满足外部高压内部真空的测试，减低了测试成本，实用性强，值得应用推广。
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公开(公告)号：CN119676930A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510061774.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及极高真空获得技术领域，尤其涉及一种降低铁氧体表面出气率的工艺。本发明的工艺包括步骤S1前处理、步骤S2高温除气和步骤S3后处理；其中，步骤S2高温除气包括：将铁氧体放置于除气炉中；将除气炉抽真空；启动除气炉的加热系统，将铁氧体以1‑2℃/min的升温速率升温到500‑600℃保温0.5‑1h，再以1‑2℃/min的升温速率升温850‑900℃保温1‑2h，然后以1‑2℃/min的降温速率降温到300‑500℃，关闭加热系统，使铁氧体随炉冷却。本发明的工艺可有效降低铁氧体表面出气率，使铁氧体能够用于10‑10Pa的极高真空系统，同时能够避免铁氧体在除气过程中出现裂纹损坏的情况。
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公开(公告)号：CN118695455A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410948432.9
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及非焊接形式的高分子材料超高真空腔室结构及其制作方法，其中，真空腔室结构包括真空腔室主体和外环法兰，两个所述外环法兰分别与所述真空腔室主体的两端卡接；所述真空腔室主体和所述外环法兰为相同的高分子材料，所述高分子材料为PEEK及其复合材料和/或VESPEL材料和/或高分子工程塑料。本发明不仅能够解决真空室的涡流效应，还能够更好的满足真空室结构强度、真空性能等需求。
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公开(公告)号：CN116133225B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211092747.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: H05H7/18
Abstract: 本发明涉及一种超薄壁金属内衬真空腔室的制作方法，包括如下步骤：零件加工：通过将真空腔室模具放置在架台上对半结构的超薄壁真空腔室进行加工；通过3D打印对金属内衬进行制作，通过数控加工中心对法兰进行加工；表面净化：通过有机溶剂清洗和超声波清洗的方式对半结构的超薄壁真空腔室、金属内衬和法兰进行清洗并烘干；装配：将若干个金属内衬放入两个半结构的超薄壁真空腔室之间，将两个分离的半结构的超薄壁真空腔室采用若干个夹具夹紧；焊接：将用夹具夹紧的两个半结构的超薄壁真空腔室进行焊接；将两个加工好的法兰焊接在完整的超薄壁真空腔室的两端；检漏：利用氦质谱检漏法检测焊接部位是否漏气。
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公开(公告)号：CN115386848B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210949866.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。所述多靶直流磁控溅射装置的结构：镀膜室内于底部上工件架，工件架的上部设有第一至第五靶材、离子源、加热管；镀膜室的顶部设有三流量计；真空抽气系统包括粗抽系统和精抽系统，用于对镀膜室抽真空；测量系统包括设于镀膜室上的第一热电偶传感器和第二热电偶真空计；控制系统包括第一热电偶真空计控制单元、第一分子泵控制器、第一至第五溅射靶材电源、第一离子源电源和第一偏压电源。利用本发明多靶直流磁控溅射装置在大尺寸异形氧化锆陶瓷表面沉积多层金属膜，实现对氧化锆陶瓷的表面改性，可以降低氧化锆陶瓷表面放气率、解析率，同时使其具有较高的导电率。
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