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公开(公告)号：CN119730704A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411600980.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供一种基于自旋转移力矩的纳米振荡器阵列以及其制备方法、振荡网络、计算装置，该纳米振荡器阵列包括：籽晶层和沿远离籽晶层的方向依次形成的纳米柱共用层和纳米柱阵列；纳米柱共用层至少包括第一磁性薄膜层；纳米柱阵列包括呈阵列式排布的多个纳米柱，每个纳米柱对应生成一个纳米自旋振荡器；各纳米柱均包括沿远离籽晶层的方向依次设置的第二磁性薄膜层和盖帽层。本申请能够改善面内电流的分流，明显提高有效电流的密度，以及纳米振荡器的耦合强度。
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公开(公告)号：CN114333938B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111618117.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备，涉及微电子技术领域。电路包括：检测电容差分子电路，与检测电容差分子电路通过位线连接的差分电流镜子电路，以及与差分电流镜子电路电连接的操作电压生成模块；检测电容差分子电路在接收到写入数值时，控制位线归零，在位线上形成第一电压差，将第一电压差值作为差分电流镜子电路的输入电压差值；差分电流镜子电路基于输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值；操作电压生成模块基于至少三个不同的输出电压差值确定电容操作电压，可以实现不同的输出电压至确定不同工况场景下的电容操作电压，可以自适应于工艺的波动，实现电容操作电压的调整，提高铁电电容的寿命。
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公开(公告)号：CN114300024B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111641809.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C16/12
Abstract: 本发明公开一种基于非易失性处理器的数据处理方法、装置及介质，涉及计算机技术领域，用于解决现有技术中产生过多功耗的问题。方法包括：接收用于指示对非易失性处理器运行时对应的数据进行相应的操作处理的数据操作指令；基于该数据操作指令，向非易失性处理器施加对应电压数值的栅压；基于所述栅压，调整非易失性处理器的阈值电压，以确定非易失性处理器所对应的运行模式；然后在该运行模式下，对数据进行相应处理。以实现在不同的运行模式下，具有不同的数据处理功能，并有效地减低能耗的技术效果。
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公开(公告)号：CN118413997A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311638761.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明提供了一种铪基铁电存储器及其制造方法。本发明的铪基铁电存储器的制造方法，包括如下步骤：S1：在衬底上沉积下电极；S2：在下电极上沉积铁电层；S3：在铁电层沉积二氧化钛中间层；S4：在二氧化钛中间层上沉积铁电层；S5：在铁电层上淀积上电极；S6：退火。本发明的制造方法提高了铪基铁电存储器的击穿电压和耐久性，使铪基铁电存储器具有更高的擦写次数。
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公开(公告)号：CN114280998B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111641853.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开一种逻辑运算控制电路、方法、装置及介质，涉及芯片设计技术领域，用于解决现有技术中会加大灵敏放大器模块的设计复杂度问题。电路结构包括：控制单元、译码单元以及灵敏放大器；灵敏放大器中包括第一晶体管，控制单元的信号输出端与译码单元连接；控制单元用于基于控制信号控制译码单元激活灵敏放大器，控制单元与电源连接，用于控制电源产生不同的第一栅压，对第一晶体管的阈值电压进行调整，以改变被激活的所述灵敏放大器的翻转电压，实现布尔逻辑运算。采用本方案中的电路结构，可以在不增加SA单元面积的基础上实现对SA单元工作翻转电压的修改，可直接实现布尔逻辑运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117082873A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310806909.5
申请日：2023-07-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明涉及一种自选通阻变存储器，通过使用不容易发生氧空位聚集的氧化铌作为存储层，实现了开态电流密度的提升；同时通过设置具有峰状能带结构的氧化钛层作为选通层，提升了器件的非线性，从而使自选通阻变存储器同时具有高非线性和高开态电流密度，解决了现有技术中高非线性和高开态电流密度无法兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN116528657A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210074134.2
申请日：2022-01-21
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种铁电电容器及其制造方法，在基底上形成第一电极层，在第一电极层上形成介质层，介质层的材料为掺锆的氧化铪，介质层中锆的摩尔数占铪和锆的摩尔总数的比例范围为0.65‑0.75，介质层的厚度范围为5‑7nm，之后在介质层上形成第二电极层，通过设计介质层中锆的含量和介质层的厚度，使铁电电容器能量存储密度及效率得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN111965462B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010860291.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种用于选通管疲劳特性测试的装置及方法，其中，该装置包括：分压元件和计数器，分压元件与待测选通管相连接，用于在测试过程中为待测选通管进行分压；计数器与待测选通管相连接，用于检测待测选通管的电压和/或电流变化。通过将待测试的选通管作为震荡器的组成部分，使得本发明的装置结构更加精简，从而省去了脉冲发生器、判断电路等复杂电路组成，此外基于选通管的特性实现周期性的电压和/或电流的震荡，使得测试周期更短，节约了测试时长，而且该装置的组成极为简单，成本极低，具有重要的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN116249435A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111489449.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种选通管，包括顶层电极、中间层和底层电极，其中，所述顶层电极、所述中间层和所述底层电极从上到下排序，所述中间层的材料为铌钽氧化物。本发明公开的一种选通管及其制造方法，能够有效降低形成电压，且有效降低了生产成本。
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