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公开(公告)号：CN105803425A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610320424.5
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/4581 , H01L21/68757 , H01L21/68785
Abstract: 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081834B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911402230.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层，其中，该方法包括：对蓝宝石衬底进行高温成核处理，在蓝宝石衬底上形成GaN成核中心；在所述含有GaN成核中心的蓝宝石衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层进行升温退火，形成具有成核岛的缓冲层；在所述具有成核岛的缓冲层上生长GaN外延层，得到蓝宝石上的GaN外延层。本发明通过利用在高温表面处理过程中通入高温成核源，使得在样品表面形成高温成核点，然后再生长低温缓冲层能够获得高质量的GaN外延层，其位错密度可远低于常规的两步法生长，并且使用该方法生长可以降低反应室残留对生长的影响。
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公开(公告)号：CN109461801B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811274583.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中，该方法包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及保持反应室在N2氛围下将生长温度降低至一设定温度，将载气由N2变换成H2，继续降温，在InGaN层的表面获得In量子点。本方法获得的In量子点具有高的密度和非常好的尺寸均匀性，且生长工艺简单，为氮化金属液滴来获得InGaN量子点提供了均匀可靠的模板，推进了InGaN量子点在光电器件的实际应用。
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公开(公告)号：CN105803425B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610320424.5
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN111081834A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911402230.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层，其中，该方法包括：对蓝宝石衬底进行高温成核处理，在蓝宝石衬底上形成GaN成核中心；在所述含有GaN成核中心的蓝宝石衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层进行升温退火，形成具有成核岛的缓冲层；在所述具有成核岛的缓冲层上生长GaN外延层，得到蓝宝石上的GaN外延层。本发明通过利用在高温表面处理过程中通入高温成核源，使得在样品表面形成高温成核点，然后再生长低温缓冲层能够获得高质量的GaN外延层，其位错密度可远低于常规的两步法生长，并且使用该方法生长可以降低反应室残留对生长的影响。
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公开(公告)号：CN109461801A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811274583.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中，该方法包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及保持反应室在N2氛围下将生长温度降低至一设定温度，将载气由N2变换成H2，继续降温，在InGaN层的表面获得In量子点。本方法获得的In量子点具有高的密度和非常好的尺寸均匀性，且生长工艺简单，为氮化金属液滴来获得InGaN量子点提供了均匀可靠的模板，推进了InGaN量子点在光电器件的实际应用。
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