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发明公开
一种双量程加速度传感器结构及制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN119001144A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202310563736.9

申请日：2023-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王家畴 , 郑梦瑶 , 李昕欣

IPC: G01P15/12 , G01P1/00

Abstract: 本发明提供一种双量程加速度传感器结构及制作方法，该方法包括：提供衬底；于衬底背面形成第一沟槽，于衬底正面形成多个压敏电阻；于衬底的正面形成介质层，介质层中设置有开口显露压敏电阻；于衬底内部选择性腐蚀出基于悬臂梁结构的高量程加速度传感器；于衬底正面形成金属层，金属层还延伸入开口中与压敏电阻电连接；于第一沟槽中形成预设深度的第五沟槽，于衬底的正面形成第六沟槽，第六沟槽与第五沟槽在垂直方向上相对应，且第六沟槽和第五沟槽连通。本发明的双量程加速度传感器结构及制作方法中，通过将低量程加速度传感器和高量程加速度传感器在单芯片上一体化集成，具有高灵敏、高频响、高抗过载、低成本、微型化的优点。

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