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公开(公告)号：CN106884153B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN106884153A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510934979.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/26 , C30B25/186 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过氧化石墨烯生长用铜衬底，使得衬底表面层氧化并从衬底脱落，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面，该方法获得的铜衬底可明显降低成核密度，减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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公开(公告)号：CN106829943A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611156543.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种提高石墨烯膜表面亲水性的方法，包括以下步骤：1)配置表面活性剂溶液；以及2)将石墨烯薄膜与衬底的结合体在所述表面活性剂溶液中放置一定时间。根据本发明提供的方法，利用表面活性剂的亲水疏水基团实现对石墨烯膜表面的亲疏水性的调节，该方法能够简单快速地提高石墨烯膜的亲水性，大大节约了时间成本，并且操作简单，节省了人工成本、材料成本；还具有环境友好性，适宜大幅推广；并且不受石墨烯膜尺寸的限制；由于提高了石墨烯膜的亲水性，还进一步扩大了石墨烯材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN106756869A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130948.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0272
Abstract: 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN106591798A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611129914.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26 , C01B32/186
CPC classification number: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种无粘连插层金属箔片堆垛制备石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），将至少两层金属箔片进行堆垛，各层金属箔片通过插层隔开，形成金属箔片堆垛结构，其中，所述插层为不与所述金属箔片反应的物质；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属箔片堆垛结构的各金属箔片表面生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过插层金属箔片堆垛的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106248649A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610622357.2
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法，所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底，金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括：(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底；(2)将金属颗粒分散覆盖于多孔结构的石墨烯表面。本发明既具备石墨烯的亲生物活性又结合了金属增强效应，其中石墨烯的多孔结构有助于吸附更多待检测分子，石墨烯上的金属颗粒有助于产生增强电磁场，放大待检测分子的拉曼信号，有利于对分子的检测；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106756869B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201611130948.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN106882792A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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公开(公告)号：CN106882792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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公开(公告)号：CN106884152A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933627.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/0227
Abstract: 本发明提供一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化铜层；以及步骤3），将氧化后的铜衬底放入氧化铜的反应溶液中，以腐蚀去除包含杂质的氧化铜层，得到清洁的铜衬底表面。本发明通过将包含杂质的铜表面层氧化，再将氧化铜层去除，获得适宜高质量石墨烯制备的清洁铜表面。该方法获得的衬底可明显减少石墨烯中的缺陷。本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合工业化应用的批量化处理。
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