公开(公告)号：CN115265663A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210959385.9

申请日：2022-08-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王家畴 ,  张鹏 ,  李昕欣

IPC: G01D21/02 ,  G01P3/483 ,  G01P15/12 ,  G01L1/20 ,  G01L9/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种单芯片复合传感器结构及其制备方法，所述单芯片复合传感器结构包括：单晶硅衬底、单晶硅衬底上的绝缘层及集成在所述单晶硅衬底同一面上的角速度传感器、加速度传感器及压力传感器；其中，所述单晶硅衬底上插设有多个绝缘锚点，所述角速度传感器通过所述绝缘锚点集成在所述单晶硅衬底上；所述加速度传感器及所述压力传感器与所述角速度传感器之间绝缘。本发明的单芯片复合传感器结构中的角速度传感器采用面外(Z轴)静电梳齿驱动面内差分电容检测方式，实现对X轴(或Y轴)角速度检测；以外层绝缘的单晶硅柱子作为锚点分别支撑移动电极和固定电极悬浮在单晶硅衬底上，解决传感器单面加工中不同电极间的电学绝缘难题。

公开(公告)号：CN102386123B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110215676.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张鹏 ,  曹共柏

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。

公开(公告)号：CN102386123A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110215676.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张鹏 ,  曹共柏

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。