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公开(公告)号：CN108754608A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810669531.8
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供蓝宝石基片；S2，在蓝宝石基片的晶面Al2O3(0001)上沉积50‑5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1‑40％的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜；S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，得到(111)晶向的单晶薄膜。本发明还涉及一种根据上述的制备方法得到的镍铜(111)合金单晶薄膜。根据本发明的制备方法获得的镍铜(111)合金单晶薄膜，极大地提高石墨烯的性能，为下一步石墨烯在微电子领域中的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN104562195B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310496579.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。
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公开(公告)号：CN104192835B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410466181.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。
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公开(公告)号：CN103943512B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410189193.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。
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公开(公告)号：CN104944417A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510292023.9
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04 , C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法，包括以下步骤：S1：在热释放胶带上粘附石墨烯；S2：将所述热释放胶带表面粘附有所述石墨烯的一面贴合到氮化硼上；S3：加热使所述热释放胶带失去粘性，然后揭去所述热释放胶带，得到石墨烯-氮化硼异质结。本发明利用热释胶带的连续转移，得到上下表面干燥且干净的石墨烯/氮化硼，转移方法条件简单、成本低、重复性好、且对环境友好，成功避免了湿法转移过程中因对金属生长衬底腐蚀所引入的金属离子和化学基团，同时也避免了在去除PMMA胶等过程中对石墨烯、氮化硼的表面形貌的破损更避免了残胶的去除不干净的可能性。高质量的石墨烯-氮化硼异质结为后期制备石墨烯的电子器件奠定了良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104192835A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410466181.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。
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公开(公告)号：CN114525581A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210129361.0
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法，其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底，该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22％；放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火；然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法，采用铜镍单晶薄膜作为衬底，结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。
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公开(公告)号：CN109205599B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201811042914.9
申请日：2018-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
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公开(公告)号：CN109205599A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811042914.9
申请日：2018-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
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公开(公告)号：CN104928649A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510189745.1
申请日：2015-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C30B25/186 , C01B32/186 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/455 , C23F17/00 , C25D3/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/0614 , C25F3/22 , C30B25/12 , C30B25/165 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法，方法包括：提供局域供碳装置；制备镍铜合金衬底，将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内；将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中，在局域供碳装置中通入气态碳源，从而在镍铜合金衬底上生长石墨烯单晶。本发明制备得到的石墨烯晶畴结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为晶圆级石墨烯单晶在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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