公开(公告)号：CN118431303A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410581844.3

申请日：2024-05-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博文 ,  刘军 ,  宋瑞良 ,  刘宁 ,  于晓艺

IPC: H01L29/88 ,  H01L23/49 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/329 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种基于悬空互连结构的共振隧穿二极管器件，属于半导体器件和太赫兹技术领域。该共振隧穿二极管器件结构包括衬底；共振隧穿二极管外延层；发射极金属电极；集电极金属电极引线；基于悬空互连结构的发射极金属电极引线；以及绝缘介质。工艺制造流程包括金属剥离；刻蚀；生长介质；刻蚀；金属剥离；电镀。本发明利用悬空互连结构可降低寄生效应，提高了电路在太赫兹频段的工作效率，且通过减少直接接触，优化热管理，提高电路的可靠性。此外，在半导体工艺实现时及时沉积绝缘介质保护，可降低在加工过程中电极和外延结构易氧化的风险。

公开(公告)号：CN118448964A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410569665.8

申请日：2024-05-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘军 ,  宋瑞良 ,  李亚明 ,  刘博文 ,  刘宁 ,  崔冠峰

IPC: H01S1/00

Abstract: 本发明公开了一种一体化集成太赫兹辐射源，属于太赫兹射频技术领域，该太赫兹辐射源包括：地层、衬底层、集电极层、钝化层、馈电层、反射层、低K介质层、辐射层、电阻、共振隧穿二极管、金属化过孔I和金属化过孔II；辐射源核心器件采用共振隧穿二极管，共振隧穿二极管属于负阻器件，其本征电容和辐射层的等效电感形成振荡电路，产生太赫兹信号，太赫兹信号通过金属化过孔1作为辐射层太赫兹信号馈源，太赫兹信号通过辐射层辐射到自由空间。本发明采用全单片一体化集成的方式实现，并采用共振隧穿二极管作为辐射源的核心器件，提高了辐射源的集成度和稳定性，减小了体积，降低了复杂性，具有强阵列扩展性。

公开(公告)号：CN117579183A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311520007.1

申请日：2023-11-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘军 ,  刘宁 ,  李依桐 ,  刘博文 ,  段玮倩 ,  宋瑞良 ,  崔冬暖

IPC: H04B10/90 ,  H04B10/61

Abstract: 本发明公开了基于固态电子学的太赫兹无本振相干接收无线通信系统，属于无线通信技术领域。该系统由发射端和无本振接收端构成，其中，发射端包括太赫兹混频器、太赫兹放大器、太赫兹双工网络、太赫兹双频发射天线、太赫兹不等分功分网络以及本振信号；无本振接收端包括太赫兹混频器、太赫兹放大器、太赫兹双工网络、太赫兹双频接收天线、增益控制单元。利用太赫兹双工器实现频率隔离，利用太赫兹双频天线实现空间隔离，从而同时实现对本振和太赫兹射频信号的发射/接收，最终实现无本振的接收端。本发明在接收端采用无本振的形式实现相干接收解调，降低了通信系统复杂度，改善了系统的性能，具有低成本和低功耗的特点。

公开(公告)号：CN118783217A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410753376.3

申请日：2024-06-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘军 ,  刘博文 ,  李亚明 ,  刘宁 ,  崔冠峰 ,  宋瑞良 ,  崔冬暖

IPC: H01S1/02

Abstract: 本发明公开了一种阵列合成的高功率太赫兹辐射源，属于太赫兹射频技术领域；其包括从上至下依次层叠的耦合层、辐射层、反射层、馈电层、集电极层和衬底层；辐射层包括多个金属贴片；多个金属贴片阵列设置；金属贴片均位于耦合层上的方孔的正下方，金属贴片和方孔一一对应；馈电层包括多个引脚组；引脚组一端与位于封装外壳上的馈电焊盘连接，另一端通过金属化过孔II与对应的金属贴片连接；金属化过孔II的顶端与金属贴片连接，底端延伸至馈电层下表面的钝化层II中，且在钝化层II中的金属化过孔II末端具有两端负载器件；集电极层通过贯穿衬底层的金属化过孔I与封装外壳连接，形成接地。本发明提高了辐射源稳定性，具有广阔的应用前景。