公开(公告)号：CN100543194C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200510105646.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 赵平 ,  邹从沛 ,  孔祥巩 ,  彭倩

IPC: C25D3/10 ,  C25D7/00 ,  C25D9/08 ,  G21C5/00

CPC classification number: Y02E30/40

Abstract: 本发明提供了一种在氢化锆表面制备致密氢渗透阻挡层的工艺，该工艺是将氢化锆块经过磨光和预氧化后，在铬酐镀液中电镀30～180分钟，得到Cr-C合金镀层，经水煮去掉残余镀液后，再次氧化，可在氢化锆表面得到Cr-C-O氢渗透阻挡层，从而解决反应堆氢化锆慢化剂在650～750℃的工作温度下氢的析出问题。

公开(公告)号：CN1940144A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200510105646.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 赵平 ,  邹从沛 ,  孔祥巩 ,  彭倩

IPC: C25D3/10 ,  C25D7/00 ,  C25D9/08 ,  G21C5/00

CPC classification number: Y02E30/40

Abstract: 本发明提供了一种在氢化锆表面制备致密氢渗透阻挡层的工艺，该工艺是将氢化锆块经过磨光和预氧化后，在铬酐镀液中电镀30～180分钟，得到Cr－C合金镀层，经水煮去掉残余镀液后，再次氧化，可在氢化锆表面得到Cr－C－O氢渗透阻挡层，从而解决反应堆氢化锆慢化剂在650～750℃的工作温度下氢的析出问题。