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公开(公告)号：CN108281548B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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公开(公告)号：CN108281548A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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公开(公告)号：CN105161615A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510561180.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。
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公开(公告)号：CN104251819A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310256245.6
申请日：2013-06-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于红外光源的光声光谱气体检测装置，采用红外光源作为发射光源，红外光源相对激光光源具有低成本、宽光谱的优点，大程度的缩减了光声光谱气体分析仪制作成本，并且解决了激光器光源气体分析仪只能检测有限几种气体的局限性，能对所有在所用红外光源发射谱范围内有较大吸收的气体进行浓度检测。本发明使用凹面镜+透镜组对光束进行级联收束，最后得到较大功率密度的细束平行光束。信号采集方面，由红外对管探测光调制频率作为参考信号输入锁相放大器，与微音器得到的光声信号对比滤波，最后由计算机对滤波信号分析计算得到气体浓度。本发明实现了低成本、高选择、高灵敏的气体探测技术，具有相当好的社会和经济效益。
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公开(公告)号：CN105161615B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510561180.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。
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