公开(公告)号：CN106848007A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710023326.X

申请日：2017-01-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  卢俊峰 ,  石增良 ,  王悦悦 ,  祝秋香

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/002 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明公开了一种增强氧化锌‑氮化镓(ZnO‑GaN)异质结构电致发光的方法，利用气相传输的方法在p型GaN(p‑GaN)衬底上制备氧化锌纳米棒阵列，构建n‑ZnO‑p‑GaN异质结构，并采用磁控溅射的方法在ZnO纳米棒阵列表面修饰金属铝纳米颗粒，形成铝纳米颗粒修饰的n‑ZnO‑p‑GaN复合体系。通过金属铝纳米颗粒局域表面等离子体效应，增强ZnO纳米阵列自发辐射性能，提升异质结构内量子效率。本发明为构建高性能光电器件提供了一种行之有效的方法，同时解决了异质结构器件在界面处由于晶格结构和能带结构的不匹配而造成的发光效率偏低等一系列问题，本发明在未来的光电技术领域有着巨大的潜在应用。

公开(公告)号：CN104242053A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410491749.0

申请日：2014-09-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  理记涛 ,  田正山 ,  林毅 ,  卢俊峰 ,  王悦悦

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/06

Abstract: 本发明公开了一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法，将利用化学气相沉积法或机械剥离法制备的单层石墨烯转移覆盖至直径在亚微米量级的单根ZnO纳米线表面，形成石墨烯/ZnO纳米线复合结构微腔。通过石墨烯表面等离子体对光场的有效限域，能大大减小ZnO纳米线的光学损耗，有效降低激射阈值，进而提高微激光器品质因子，增强其紫外激光强度。本发明为合成高性能光电器件提供了一种非常有益的方法，同时也开辟了其在包括超快信息处理，纳米显微成像，纳米光刻技术，以及生物医学和超传感等方面的潜在应用。