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公开(公告)号：CN101901020A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010200378.8
申请日：2010-06-13
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源，其特征在于该电源包括启动电路(1)，一阶温度补偿基准电压产生电路(2)，第一误差放大器(3)及高阶温度补偿基准电压产生电路(4)，高阶温度补偿电流产生电路(5)，调节模块电路(6)；高阶温度补偿电流产生电路(5)的直流电输入端分别连接直流电源Vcc；高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输出端同时与启动电路(1)的第二输入端和第一误差放大器(3)的第三输入端相连；高阶温度补偿基准电压产生电路(4)的输出端就是一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端，与高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输入端相连。
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