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公开(公告)号：CN103546123B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310536184.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/023
Abstract: 本发明提供一种显著提高线性度的张弛振荡器，包括振荡电路，参考电平自调节电路和传输门选择信号产生电路，通过检测振荡电路中充放电电容的电压峰值，求出由于控制电路的延时导致的电容电压过充量，从而把振荡电路中的比较器参考电平减小相应的量作为新的参考电平来使得充放电电容的振荡幅度刚好为理论值，在新的参考电平大于零时，张弛振荡器消除了充放电电容由于控制电路的延时导致的电容电压过充对输出频率产生的影响，显著地提高了张弛振荡器的频率-控制电路的线性度，传输门选择信号产生电路通过控制传输门为比较器提供起始参考电平，在新的参考电平生成后，将其传送到比较器的反相端，而将初始参考电平与比较器反相端隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103312298B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
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公开(公告)号：CN103546123A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310536184.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/023
Abstract: 本发明提供一种显著提高线性度的张弛振荡器，包括振荡电路，参考电平自调节电路和传输门选择信号产生电路，通过检测振荡电路中充放电电容的电压峰值，求出由于控制电路的延时导致的电容电压过充量，从而把振荡电路中的比较器参考电平减小相应的量作为新的参考电平来使得充放电电容的振荡幅度刚好为理论值，在新的参考电平大于零时，张弛振荡器消除了充放电电容由于控制电路的延时导致的电容电压过充对输出频率产生的影响，显著地提高了张弛振荡器的频率-控制电路的线性度，传输门选择信号产生电路通过控制传输门为比较器提供起始参考电平，在新的参考电平生成后，将其传送到比较器的反相端，而将初始参考电平与比较器反相端隔离。
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公开(公告)号：CN102867844A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210365606.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P-漂移区及N型体区，且N型外延层的上表面为P-漂移区及N型体区覆盖，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在P-漂移区上方设有P型缓冲层，在P型缓冲层上方设有P型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、多晶硅栅、P-漂移区、P型漏区上方设有场氧化层，在P型源区及N型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，P型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在N型外延层上设有超结结构，超结结构由连接漏区及N型外延层方向相间分布的P型区和N型区构成。
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公开(公告)号：CN103312298A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
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公开(公告)号：CN102867845A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210366193.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。
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