公开(公告)号：CN105206663A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510661083.3

申请日：2015-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  周迁 ,  王宁 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层的下表面与本征GaN层的上表面相接触，在栅氧化层的上表面形成有栅极；在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层和栅极相隔离，其特征在于，在本征GaN层中形成有P型AlGaN掺杂区，所述P型AlGaN掺杂区位于栅极和漏极之间区域的下方。这种结构的优点在于保持器件频率特性和阈值电压基本不变的前提下，显著提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN105185827A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510566720.9

申请日：2015-09-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  魏家行 ,  周迁 ,  任晓飞 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611

Abstract: 一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层贯穿AlGaN掺杂层且始于AlGaN掺杂层的下表面并止于AlGaN掺杂层的上表面，在栅氧化层的上表面形成有栅极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层与栅极相隔离，其特征在于，在AlGaN掺杂层的内部设有绝缘层且绝缘层的上表面裸露于AlGaN掺杂层的上表面，所述绝缘层与栅氧化层相接触且位于所述栅氧化层与漏极之间，这种结构的优点在于能够有效提高器件的击穿电压。