公开(公告)号：CN114464751B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210146756.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 李青 ,  刘世林 ,  宋波 ,  王昕 ,  严仕凯 ,  周建明 ,  张晓兵 ,  朱卓娅 ,  赵志伟

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。

公开(公告)号：CN114464751A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210146756.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 李青 ,  刘世林 ,  宋波 ,  王昕 ,  严仕凯 ,  周建明 ,  张晓兵 ,  朱卓娅 ,  赵志伟

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。