公开(公告)号：CN103064147B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310038365.9

申请日：2013-01-31

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 杨琳娟 ,  姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  宋爱娟 ,  梁丽勤 ,  吕江涛 ,  王凤文 ,  司光远

IPC: G02B6/136

CPC classification number: G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比，几乎垂直的侧壁。

公开(公告)号：CN103064147A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310038365.9

申请日：2013-01-31

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 杨琳娟 ,  姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  宋爱娟 ,  梁丽勤 ,  吕江涛 ,  王凤文 ,  司光远

IPC: G02B6/136

CPC classification number: G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比，几乎垂直的侧壁。

公开(公告)号：CN102981199A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210452594.0

申请日：2012-11-13

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 司光远 ,  姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  吕江涛 ,  马振鹤 ,  王凤文

IPC: G02B5/20 ,  B82Y20/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02B5/008

Abstract: 本发明涉及一种表面等离子体纳米环滤光器，设有基层材料，在基层材料上粘贴有贵金属膜，所述贵金属膜上设有用聚焦离子束刻蚀方法加工的圆环矩阵，所述圆环矩阵中的每个圆环的内径和外径可根据不同的单色光预先设定，所述基层材料采用石英、玻璃中的一种，进一步的所述贵金属膜采用金属金、银、铂中的一种制成。该表面等离子体纳米环滤光器运用高度对称的圆环结构解决了天线凹槽和一维层堆光栅型滤光器部普遍存在的偏振敏感性问题，使得类似滤光器件的应用范围更广，更能适应非偏振的自然光。

公开(公告)号：CN103149616A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310039825.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  刘少楠 ,  杨明 ,  魏永涛 ,  张宝健 ,  王凤文 ,  司光远

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/26

CPC classification number: G02B5/26 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种反射型纳米柱表面等离子体滤光器，所述滤光器包括衬底和纳米柱，所述纳米柱均匀对称的分布在所述衬底表面。所述纳米柱的直径为300-500纳米，所述纳米柱的高度为200-500纳米，所述纳米柱的柱间距为0-880纳米，所述纳米柱的分布周期为纳米柱直径与纳米柱柱间距之和。采用本发明的反射型纳米柱表面等离子体滤光器有效地解决了滤光器件的偏振敏感性问题，具有灵敏的反射分光效果并且可以最大幅度提高滤光器的性能和反射效率，且分辨率高、性能结构稳定可靠、使用寿命长、应用范围广，能准确再现各种所保存的数据。

公开(公告)号：CN103091774A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210452593.6

申请日：2012-11-13

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 姜潇潇 ,  司光远 ,  吕江涛 ,  谷琼婵 ,  马振鹤 ,  王凤文

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02F1/355

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/121 ,  G02F2201/063

Abstract: 本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导，选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作，首先，使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品，在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤，形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率，将光束限制在波导区域中传播。第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞，混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉，从而形成空气隔层，悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。本发明铌酸锂光波导对在其中传播的光信号有非常好的限制作用，具有极低的传输损耗，可以被广泛应用于电子、光学、和调制类器件。

公开(公告)号：CN113588615A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110862549.1

申请日：2021-07-29

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 吕江涛 ,  常明会 ,  梁彤 ,  李润 ,  谷琼婵

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明的一种基于SPR的纳米半球体结构阵列的荧光增强装置，包括自下而上依次设置的玻璃衬底、金属膜、半球体阵列结构、透光介质层和荧光层；半球体阵列结构由多个金属纳米半球体阵列设置构成，金属纳米半球体的阵列周期为60‑600纳米，金属纳米半球体的半径为30‑200纳米。该装置利用金属的表面等离子体共振，增强荧光物质的自发辐射率和荧光强度，通过调节金属纳米半球体的大小和阵列周期调制荧光的增强程度，解决了现有荧光物质的荧光信号弱的问题。