公开(公告)号：CN106958008A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710089165.4

申请日：2017-02-20

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 王海钱 ,  苏豪凯 ,  温刘平 ,  吴智升 ,  王伯宇 ,  王晓强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/083

Abstract: 本发明公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O2作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得氧化钽薄膜。本发明提供的一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，所得TaOx薄膜具有优良的离子传输性能、低的电导率和较高的透过率。氧化钽膜层致密性良好。