公开(公告)号：CN103064147B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310038365.9

申请日：2013-01-31

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 杨琳娟 ,  姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  宋爱娟 ,  梁丽勤 ,  吕江涛 ,  王凤文 ,  司光远

IPC: G02B6/136

CPC classification number: G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比，几乎垂直的侧壁。

公开(公告)号：CN103064147A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310038365.9

申请日：2013-01-31

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 杨琳娟 ,  姜潇潇 ,  谷琼婵 ,  宋爱娟 ,  梁丽勤 ,  吕江涛 ,  王凤文 ,  司光远

IPC: G02B6/136

CPC classification number: G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法，该方法包括：S1、设计一种纳米圆环阵列结构，所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴，光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度；S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中；S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构，聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀，完成制备。通过本发明制造的光波导结构具有超高占空比，几乎垂直的侧壁。