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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103063121B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210574510.0
申请日：2012-12-26
Applicant: 东北农业大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 基于开关式激励源的差动变压器位移测量装置及其测量方法，涉及一种差动变压器位移测量装置及其测量方法。为了解决目前差动变压器测量位移需要高频正弦信号激励以至于成本高且结构复杂的问题。它在现有的差动变压器的基础上增加开关式激励源的位移测量电路，利用开关式激励源和调节电位器使差动变压器在位移中点平衡，只用两个副线圈的稳定放电电压的窄脉冲高度就可以确定位移量。还包括单片机控制系统，利用单片机控制系统控制开关的闭合或断开来测量所述两个副线圈的电压，利用公式计算测量的位移。用于测量位移。
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公开(公告)号：CN118064448A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410188505.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 东北农业大学
Abstract: 蜡质合成基因PpKCS6在调控草地早熟禾耐旱性中的应用，本发明属于基因领域，本发明的pKCS6基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。所述的pKCS6基因在提高草地早熟禾耐干旱中的应用。本发明确定蜡质合成关键基因PpKCS6(3‑ketoacyl‑CoA synthase 6)在提高草地早熟禾耐干旱中的功能，揭示草地早熟禾叶表蜡质表型响应干旱胁迫的分子机制，为培育抗旱节水性草地早熟禾品种提供基因资源和理论依据。
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公开(公告)号：CN118064448B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410188505.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 东北农业大学
Abstract: 蜡质合成基因PpKCS6在调控草地早熟禾耐旱性中的应用，本发明属于基因领域，本发明的pKCS6基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。所述的pKCS6基因在提高草地早熟禾耐干旱中的应用。本发明确定蜡质合成关键基因PpKCS6(3‑ketoacyl‑CoA synthase 6)在提高草地早熟禾耐干旱中的功能，揭示草地早熟禾叶表蜡质表型响应干旱胁迫的分子机制，为培育抗旱节水性草地早熟禾品种提供基因资源和理论依据。
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公开(公告)号：CN103063121A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210574510.0
申请日：2012-12-26
Applicant: 东北农业大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 基于开关式激励源的差动变压器位移测量装置及其测量方法，涉及一种差动变压器位移测量装置及其测量方法。为了解决目前差动变压器测量位移需要高频正弦信号激励以至于成本高且结构复杂的问题。它在现有的差动变压器的基础上增加开关式激励源的位移测量电路，利用开关式激励源和调节电位器使差动变压器在位移中点平衡，只用两个副线圈的稳定放电电压的窄脉冲高度就可以确定位移量。还包括单片机控制系统，利用单片机控制系统控制开关的闭合或断开来测量所述两个副线圈的电压，利用公式计算测量的位移。用于测量位移。
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公开(公告)号：CN202994076U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220728723.X
申请日：2012-12-26
Applicant: 东北农业大学
Abstract: 基于开关式激励源的空心互感位移传感器，涉及一种位移传感器。为了解决目前互感式位移传感器测量精度较低的问题。它在现有的空心互感位移传感器的基础上，还包括开关式激励源的位移测量电路，所述测量电路包括电流源、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关和第四电子开关，通过控制四个电子开关的闭合或断开，对所述位移传感器的原边线圈进行充放电，同时测得副边线圈的电压，通过公式计算出位移。它利用开关式激励源测量位移。
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