公开(公告)号：CN1314839A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN00801146.X

申请日：2000-04-18

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 杉井光 ,  琴浦正晃 ,  细川博文 ,  恒川哲也

IPC: B29C55/12 ,  C08J5/18 ,  G11B5/73 ,  B29K67/00 ,  B29L7/00

Abstract: 提供一种磁道偏移小、运行耐久性和保存稳定性优良的、适用于作为高密度磁记录媒体用带基薄膜的双轴取向聚酯薄膜及其制造方法。本发明的目的是通过在49℃、90%RH的条件下,在纵向施加32MPa荷重的状态下放置72小时时的横向尺寸变化率(A)在－0.3～0%的范围内来达成的。

公开(公告)号：CN1196578C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00801146.X

申请日：2000-04-18

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 杉井光 ,  琴浦正晃 ,  细川博文 ,  恒川哲也

IPC: B29C55/12 ,  C08J5/18 ,  G11B5/73 ,  B29K67 ,  B29L7

Abstract: 提供一种磁道偏移小、运行耐久性和保存稳定性优良的、适用于作为高密度磁记录媒体用带基薄膜的双轴取向聚酯薄膜及其制造方法。本发明的目的是通过在49℃、90%RH的条件下，在纵向施加32MPa荷重的状态下放置72小时时的横向尺寸变化率(A)在-0.3～0%的范围内来达成的。