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公开(公告)号：CN108025328B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680052094.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供涂布方法，能够按照预先设定的形状形成涂布图案。具体而言，该涂布方法对形成在基材上的整个图案区域涂布涂布液，形成具有图案区域(52)的形状的涂布图案，图案区域(52)的周围的亲液性比图案区域(52)低，在图案区域(52)内设置有疏液部(54)，该疏液部(54)的亲液性比图案区域(52)内的其他部分低。
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公开(公告)号：CN108025328A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052094.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供涂布方法，能够按照预先设定的形状形成涂布图案。具体而言，该涂布方法对形成在基材上的整个图案区域涂布涂布液，形成具有图案区域(52)的形状的涂布图案，图案区域(52)的周围的亲液性比图案区域(52)低，在图案区域(52)内设置有疏液部(54)，该疏液部(54)的亲液性比图案区域(52)内的其他部分低。
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公开(公告)号：CN118451318A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280085018.9
申请日：2022-10-31
IPC: G01N21/956
Abstract: 即使在晶片的外周部，也能够可靠地检测想要检测的缺陷，防止疑似缺陷的检测。具体地说，提供对晶片上存在的缺陷进行检查的晶片外观检查装置，该晶片外观检查装置具有检查部，该检查部根据对晶片的外观进行拍摄而得到的外观图像对设定在该晶片上的检查区域进行检查，检查部具有：外缘位置检测部，其对外观图像中包含的晶片的外缘部的位置进行检测；近似线生成部，其在外观图像中，对外缘部进行近似线的拟合处理，在沿着该外缘部的位置生成第一近似线，在相对于第一近似线向晶片的内侧偏移规定尺寸的位置生成第二近似线；外周检查区域设定部，其在外观图像中，将由第一近似线和第二近似线形成的区域设定为外周检查区域；和外周检查部，其对外周检查区域进行检查。
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公开(公告)号：CN109414724A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038028.6
申请日：2017-06-22
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够按照预先设定的形状形成涂布图案的涂布方法。具体地说，本发明的涂布图案形成方法对设置于基材上的图案区域涂布涂布液，形成具有图案区域的形状的涂布图案，其具有下述工序：亲液性调节工序，对图案区域的亲液性进行调节；以及涂布图案形成工序，对调节了亲液性的图案区域涂布涂布液，形成涂布图案，在亲液性调节工序中，对图案区域的亲液性进行调节，以使得图案区域在至少一个方向上被划分成2个以上的小图案区域，且相邻的小图案区域彼此具有不同的亲液性，在划分图案区域的方向即划分方向上，图案区域的端部以外的上述小图案区域具有最低亲液性，小图案区域的亲液性从该具有最低亲液性的小图案区域朝向图案区域的端部增高。
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