公开(公告)号：CN112490346A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011358667.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 上海新微科技集团有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  陈阳 ,  黄凯

IPC: H01L37/02

Abstract: 本申请公开了一种提升热释电晶圆等离子体激活均匀性的方法，包括：通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活；所述对热释电晶圆表面进行激活的总时长为10秒至60秒，每次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间为2秒至10秒，每相邻两次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间间隔为2秒至10秒；所述对热释电晶圆表面进行激活的功率为25瓦至300瓦。通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活，并预设激活时间、时间间隔和激活功率；从而中断连续激活过程中的正反馈恶性循环，即采用多次短时间等离子体激活的方式，释放表面积累的电荷，提高等离子体激活的均匀性。

公开(公告)号：CN112420512A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011323060.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 上海新微科技集团有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  陈阳 ,  黄凯

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法，包括：获取包括第一晶圆和第二晶圆，注入离子到第二晶圆，从而在第二晶圆的内部形成缺陷层；沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合，形成键合结构；将键合结构置于晶圆花篮中，第一晶圆位于第二晶圆的上方；未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑，第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空，键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑；将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理；键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤，从而提高了产品的质量与良率。

公开(公告)号：CN112467024A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011334127.9

申请日：2020-11-24

Applicant: 上海新微科技集团有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄凯 ,  欧欣 ,  赵晓蒙

IPC: H01L41/312 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。

公开(公告)号：CN111865250B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202010661703.4

申请日：2020-07-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  伊艾伦 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  张师斌

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的重掺杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。

公开(公告)号：CN111751927B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202010717348.8

申请日：2020-07-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  陈阳 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  鄢有泉 ,  李忠旭

IPC: G02B6/124

Abstract: 本发明涉及半导体领域和光电集成领域，具体是一种可调光栅耦合器，包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层；所述波导层的材料为电光材料，所述波导层的一端形成有耦合光栅；所述耦合光栅两侧均设置有多个电极，所述耦合光栅一侧的电极与另一侧的电极一一对应设置，形成多个电极对；每个所述电极对的两个电极之间的电压能够单独进行调节，通过调节所述电极对的两个电极之间的电压能够调节所述电极对之间的耦合光栅的耦合系数，从而调节所述耦合光栅的衍射光场的模场分布，以使得所述衍射光场的模场分布与耦合光纤的模场分布相匹配。本发明可以根据耦合光纤的尺寸动态调节耦合光栅衍射光场的模场分布，提高光栅耦合器的耦合效率。

公开(公告)号：CN109904065B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201910129433.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  李文琴 ,  鄢有泉 ,  李忠旭 ,  王曦

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理，以沿缺陷层剥离部分第一衬底，以在第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括第二衬底及衬底薄膜的异质结构。本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。

公开(公告)号：CN109166792B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201810942371.X

申请日：2018-08-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张师斌 ,  周鸿燕 ,  黄凯 ,  王成立 ,  王曦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/34 ,  H01L21/425 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜。

公开(公告)号：CN109427538B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201710735726.3

申请日：2017-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  王庶民 ,  王畅 ,  游天桂 ,  张焱超 ,  黄凯 ,  王利娟 ,  林家杰 ,  潘文武

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底‑薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。

公开(公告)号：CN111383915B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201811619162.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  李文琴 ,  赵晓蒙 ,  鄢有泉 ,  李忠旭 ,  王曦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。

公开(公告)号：CN110880920B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201811035898.0

申请日：2018-09-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  鄢有泉 ,  黄凯 ,  李忠旭 ,  游天桂 ,  王曦

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/56

Abstract: 本发明提供一种异质薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底，具有相对的第一表面及第二表面；自第一表面进行第一离子注入，形成第一缺陷层，自第二表面进行第二离子注入，形成第二缺陷层；提供具有第一键合面的第二衬底及具有第二键合面的第三衬底，将第一键合面与第一表面键合，第二键合面与第二表面键合；剥离第一衬底，在第二衬底上形成第一剥离层，在第三衬底上形成第二剥离层，获得第一异质薄膜结构以及第二异质薄膜结构，本发明采用双面进行离子注入和进行双面键合的方式，解决了异质衬底制备中，由于热失配导致的键合晶圆解键合甚至碎裂的问题，提高了衬底的产量以及效率，本发明的方案为高效声表面波滤波器的制备提供衬底支持。