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公开(公告)号：CN102092679A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110001114.4
申请日：2011-01-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0,1,2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要要点是：将高纯锗（纯度：99.9wt.%）和高纯金（纯度：99.99wt.%）分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。当真空度在室温下优于2´10-5Torr时，先蒸发半导体锗，然后在不破坏真空度的条件下，后蒸发金属金。衬底选择单晶氯化钠（100）晶面。蒸发源到衬底的距离设计为10厘米。锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米。真空退火温度分别为50ºC，75ºC，100ºC，120ºC，150ºC，180ºC和210ºC，退火时间分别30分钟，40分钟和60分钟，即可得到不同形貌特征的锗纳米结构。
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公开(公告)号：CN102677163A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210154266.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/Ge双层膜。将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300℃~500℃时退火60分钟，其中最佳温度为400℃，能成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数和退火条件，采用Al诱导成核的方法在Al/Ge双层膜中成功制备出Ge分形团簇纳米薄膜。本发明产品在半导体工业，如：微电子器件和光电子元件等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102328960B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110257684.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法。该方法是将一定量的MnSO4·H2O、CO(NH2)2、CTAB和去离子水按照摩尔比1：20.7：3：10101混合，等溶液室温混合均匀后转移到油浴中恒温60~90℃磁力搅拌加热冷凝回流15~25h；反应结束冷却至室温，向溶液中加入片状固态NaOH至完全溶解，其浓度范围为0.1875~0.4375mol/L，再将30wt%15~35MLH2O2分批加入烧瓶中不断搅拌；最后反应液经静置、沉淀、抽滤、洗涤得到的初级产品，再经干燥、恒温煅烧、自然冷却获得最终产品。作为环境友好型的Mn3O4材料在催化降解废气废水、电极材料和磁储存设施材料方面有着广泛的应用。这种3D花状结构Mn3O4材料的合成对它的应用有着一定的积极作用。
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公开(公告)号：CN102517548A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110449836.6
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种制备金（Au）诱导非晶半导体锗（Ge）的晶化方法及其分形纳米薄膜的非线性电学特性。本发明主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge（纯度：99.9wt.%）和高纯Au（纯度：99.99wt.%）分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。在室温下当真空度优于2×10-5Torr时，先蒸发半导体Ge，然后在保持真空度不变的条件下，后蒸发金属Au。衬底选择单晶氯化钠（100）晶面。将预先在室温条件下制备的Au/Ge双层膜置于真空炉中，在真空度优于2×10-5Torr时，在120℃，150℃，180℃，210℃分别真空退火30分钟，分别可以获得分形维数1.653，1.756，1.781，1.878的分形纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数，可以达到不同形态特征及其拥有非线性电学特性分形纳米薄膜。
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公开(公告)号：CN102328960A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110257684.X
申请日：2011-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法。该方法是将一定量的MnSO4·H2O、CO(NH2)2、CTAB和去离子水按照摩尔比1：20.7：3：10101混合，等溶液室温混合均匀后转移到油浴中恒温60~90℃磁力搅拌加热冷凝回流15~25h；反应结束冷却至室温，向溶液中加入片状固态NaOH至完全溶解，其浓度范围为0.1875~0.4375mol/L，再将30wt%15~35MLH2O2分批加入烧瓶中不断搅拌；最后反应液经静置、沉淀、抽滤、洗涤得到的初级产品，再经干燥、恒温煅烧、自然冷却获得最终产品。作为环境友好型的Mn3O4材料在催化降解废气废水、电极材料和磁储存设施材料方面有着广泛的应用。这种3D花状结构Mn3O4材料的合成对它的应用有着一定的积极作用。
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