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公开(公告)号：CN113788452B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN113093486B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110407727.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供了一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10‑20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。本发明一次性可加工的基片数量增加，提高了加工效率并降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN113788452A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN113093486A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110407727.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供了一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10‑20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。本发明一次性可加工的基片数量增加，提高了加工效率并降低了加工成本。
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