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公开(公告)号：CN101807856A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010112433.8
申请日：2010-02-04
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/156
Abstract: 本发明提供一种DC-DC转换器以及开关控制电路，在开关·调节器方式的DC-DC转换器中能够实现高速响应负载。一种电源控制用半导体集成电路(20)，其具有生成使电流流过电压变换用的电感器的驱动用开关元件(M1)的驱动信号的开关控制电路，所述开关控制电路具有判别输出电压比预定电位高还是低的电压比较电路(21)，根据所述电压比较电路的输出和预定的频率的时钟信号确定所述驱动用开关元件的导通定时和截止时间的定时确定单元(23)；以及根据该定时确定单元的输出生成所述驱动用开关元件的截止、导通驱动信号的驱动控制电路(24)。
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公开(公告)号：CN102473678A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029960.0
申请日：2010-06-03
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02M3/07
CPC classification number: H02M1/32 , H01L27/0266 , H01L29/78
Abstract: 采用自举电路的DC/DC变换器的半导体集成电路的特征在于，设置保护元件，该保护元件使连接有所述自举电路的电容器的第1端子和第2端子之间成为被比施加给所述电容器的最大电压大的电压击穿的标准耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599655A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145475.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 三美电机株式会社
CPC classification number: H02J7/0052 , G01R19/16519 , H03K17/0822
Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中，设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1)，根据该运算放大电路的输出，电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同，并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度，以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。
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公开(公告)号：CN101588082A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910203501.9
申请日：2009-05-19
Applicant: 三美电机株式会社
CPC classification number: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及充电控制用半导体集成电路以及充电装置，用于在充电控制用IC中，防止在达到满充电状态前停止充电、或者在输入电压下降时从二次电池侧向IC的内部电路持续供给电流而使电池放电。充电控制用半导体集成电路具备：连接在电压输入端子和输出端子之间的电流控制用MOS晶体管(Q1)、对Q1的基体施加输入电压或输出电压的基体电压切换电路(M1、M2)、比较输入电压和输出电压的电压比较电路(12)。根据电压比较电路的输出来控制基体电压切换电路，其中，电压比较电路在第1电位方向上具有故意的偏移量，并且在电压比较电路的第1输入端子的前级设置有电平移位电路(19)，其将输出电压向与第1电位方向相反的电位方向移位。
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公开(公告)号：CN101588082B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200910203501.9
申请日：2009-05-19
Applicant: 三美电机株式会社
CPC classification number: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及充电控制用半导体集成电路以及充电装置，用于在充电控制用IC中，防止在达到满充电状态前停止充电、或者在输入电压下降时从二次电池侧向IC的内部电路持续供给电流而使电池放电。充电控制用半导体集成电路具备：连接在电压输入端子和输出端子之间的电流控制用MOS晶体管(Q1)、对Q1的基体施加输入电压或输出电压的基体电压切换电路(M1、M2)、比较输入电压和输出电压的电压比较电路(12)。根据电压比较电路的输出来控制基体电压切换电路，其中，电压比较电路在第1电位方向上具有故意的偏移量，并且在电压比较电路的第1输入端子的前级设置有电平移位电路(19)，其将输出电压向与第1电位方向相反的电位方向移位。
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公开(公告)号：CN101599655B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910145475.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 三美电机株式会社
CPC classification number: H02J7/0052 , G01R19/16519 , H03K17/0822
Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中，设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1)，根据该运算放大电路的输出，电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同，并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度，以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。
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公开(公告)号：CN101673961A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910171135.3
申请日：2009-09-08
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/0029 , H02M2001/322 , Y10T307/516 , Y10T307/615 , Y10T307/625
Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路，在充电控制用IC中，即使是在电压输入端子上连接有旁路电容的情况下，也能够在电源断开时防止内部电路进行误动作。充电控制用半导体集成电路具有：电流控制用晶体管(Q1)，其连接在电压输入端子和输出端子之间，用于控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流；电源监视电路(12)，其用于检测所述电压输入端子的输入电压状态；晶体管元件(Q0)，其连接在所述电压输入端子与接地电位点之间，在所述电压输入端子上连接有旁路电容(C1)，在充电控制用半导体集成电路中在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入电压已被切断的情况下，使所述晶体管元件成为导通状态，从而使所述旁路电容放电。
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