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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115703943B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN115572540B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN115572540A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN111944320B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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