公开(公告)号：CN110885685B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN110885685A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN111410964A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010013430.2

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  金荣灿 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训 ,  金益熙

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN109749743A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811319973.6

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 韩勋 ,  裴相元 ,  洪荣泽 ,  朴宰完 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

公开(公告)号：CN108231573B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN108122752B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN108122752A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、15重量％-50重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。