公开(公告)号：CN112239860B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN112239860A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。