公开(公告)号：CN103778960A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310503050.7

申请日：2013-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： Y.尹 ,  S.车 ,  D.姜 ,  C.金

IPC: G11C16/06 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C7/1084 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

Abstract: 示例实施例包括用于电阻型存储器的感测放大器中的电平移位写驱动器。写驱动器可以包括交叉耦合的锁存电路、第一输出部分、第二输出部分和输入部分。第一输出部分包括一个或多个第一驱动晶体管以驱动第一电流通过第一输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。第二输出部分包括一个或多个第二驱动晶体管，被配置为驱动第二电流通过第二输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。输出部分的电流与锁存电路隔离。在一些实施例中，没有两个PMOS类型晶体管串联连接，从而减少了管芯面积的消耗。在一些实施例中，使用单个控制信号来操作写驱动器。