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公开(公告)号：CN119725313A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411349803.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备。公开了互连结构体，所述互连结构体包括基底、在所述基底上的导电层、以及与所述导电层接触的钝化层，其中所述钝化层包括：包括具有六方晶体结构的氮化硼(h‑BN)的第一层和包括非晶氮化硼(a‑BN)的第二层，并且所述第一层与所述导电层接触。
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