-
公开(公告)号：CN118629854A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410259754.2
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种包括能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备的衬底处理设备。该衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括用于排出流入其中的处理气体的排气孔；位于腔室壳体内部的衬底支撑单元，其支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及环体，其围绕衬底支撑单元安装并被设置为一体；并且还包括控制腔室壳体的内部压力控制设备，其中，内部压力控制设备控制环体的姿势以控制流入腔室壳体的处理气体的排出量。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
