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公开(公告)号：CN114639680A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111457906.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11551 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , G11C16/04
Abstract: 一种非易失性存储器器件，包括：外围逻辑结构，包括衬底上的外围电路；水平半导体层，沿外围逻辑结构的上表面延伸；堆叠结构，沿第一方向布置在水平半导体层上，并且包括沿垂直于衬底的方向交替堆叠的层间绝缘膜和导电膜；第一开口，设置在堆叠结构之间并包括在水平半导体层中以暴露外围逻辑结构的一部分；以及第二开口，从第一开口沿与第一方向不同的第二方向布置，包括在水平半导体层中，并且设置为与第一开口相邻。外围逻辑结构包括在平面视图中与第二开口重叠并控制多个堆叠结构的操作的控制晶体管。
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